Microsemi Corporation представила новое семейство 1200-вольтовых карбидкремниевых (SiC) MOSFET. Новейшие SiC MOSFET созданы для промышленных приложений большой мощности с повышенными требованиями к эффективности, таких как инверторы солнечных батарей, электрические транспортные средства, сварочные инверторы и медицинские приборы. Новые SiC MOSFET Новые SiC MOSFET созданы с использованием патентованной технологии Microsemi, чтобы помочь разработчикам проектировать решения с большей частотой ...