Поиск по: транзисторов

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от 0.82 до 45 000 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мАМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.3 ВтСтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме...

Информация по: транзисторов

• International Rectifier представляет высокоэффективный чипсет для телекоммуникационных DC/DC конверторов на базе 100-вольтовых МОП-транзисторов DirectFET^TM и мостового контроллера IR2086S
  Корпорация International Rectifier анонсировала новый чипсет для источников питания телекоммуникационного оборудования , питаемых от универсальной телекоммуникационной шины (напряжение от 36 до 75В) или 48В сети постоянного тока. Разработанный для применения в DC/DC конверторах с изолированной или неизолированной структурой новый чипсет повышает технические характеристики как понижающих конверторов мощностью до 220Вт с 48В входом так и источников питания радиоусилителей базовых станций ...
• International Rectifier (IR) расширяет семейство сильноточных низковольтных МОП-транзисторов в 7-выводном корпусе D2Pak для силовой автоэлектроники
  Корпорация International Rectifier анонсировала два новых 55-вольтовых силовых МОП-транзисторов в модифицированном корпусе D2Pak , отвечающих треборваниям норм Q-101 для компонентов устройств автоэлектроники и способных работать в продолжительном режиме с высокими коэффициентами загрузки. Они дополняют серию 40-вольтовых приборов, специально разработанных для повышения надежности мощных устройств автоэлектроники с батарейным питанием и индуктивногй нагрузкой. Транзисторы IRF3805S-7P (160A ...
• AMD и IBM объявляют о новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния
  Передовая разработка позволяет повысить производительность и снизить энергопотребление одно- и многоядерных процессоров будущего AMD и IBM объявили о разработке новой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния , позволяющей повысить производительность и снизить энергопотребление процессоров. Новый технологический процесс обеспечивает 24-процентный рост скорости срабатывания транзисторов при сохранении напряжения питания. Более быстрые и экономичные транзисторы будут ...

Новое в электронике

• Метод численной оценки джиттера компаратора на дискретных компонентах
  Один из коллег попросил измерить значение джиттера компаратора с однополярным питанием, построенного на базе микросхемы LM359. Он хотел узнать, каковы характеристики джиттера компаратора на дискретных компонентах по сравнению с компаратором на микросхеме...
• ТУСУР протестирует технологии увеличения эффективности передачи данных для сетей 6G в 2025 году
  Ученые Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники занимаются разработкой технологий неортогонального множественного доступа для увеличения эффективности передачи данных в сетях 6G...
• В ЛЭТИ создали макет «умной» антенны, перспективной для систем связи 5G NR-FR2
  В перспективе разработка позволит с высокой скоростью передавать большой объём данных в заданные направления в пространстве за счет электронного сканирования...
• Схема инфракрасного приемника минимизирует потребление энергии
  Принимать инфракрасные сигналы, поддерживая низкое потребление энергии системы, довольно сложно, и обычно это требует включения в прошивку сложных процедур управления питанием. Этой проблемы можно избежать, отключая питание микроконтроллера при отсутствии ИК-сигнала...

Остались вопросы?

• Форум по электронным компонентам
  Помощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
• Производители электронных компонентов
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
• Каталог сайтов по электронным компонентам
  Чипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.