Компания IXYS сообщила о начале производства сдвоенных 1200-вольтовых SiC диодов Шоттки DCG85X1200NA и DCG100X1200NA в полностью изолированных корпусах MiniBLOC (SOT-227). Карбид кремниевые диоды Шоттки DCG85X1200NA и DCG100X1200NA рассчитаны на средние прямые токи 43 А и 49 А, соответственно, при температуре корпуса 80 C. Оба прибора выдерживают обратное напряжение до 1200 В, а напряжение изоляции между выводами корпуса и теплоотводящим основанием составляет 3 кВ. Запатентованная IXYS ...
Наименование модели: GA200SA60SPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, SOT-227 TUBE 10 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD- 50070A /) 5)$5 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features · Standard : Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies up to 1kHz · Lowest conduction losses available · Fully isolated package ( 2,500 volt AC) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · Industry standard outline Спецификации: Тип транзистора: IGBT ...
Наименование модели: GA200SA60UPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, SOT-227 TUBE 10 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD -50066A GA200SA60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features · UltraFast: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · Fully isolate package ( 2,500 Volt AC/RMS) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · ...